دیتاشیت BUK9Y19-100E,115
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BUK9Y19-100E,115 |
|---|---|
| حجم فایل | 57.659 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت BUK9Y19-100E,115 |
BUK9Y19-100E,115 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia BUK9Y19-100E,115
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 167W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 5085pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 56A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,15A
- Package: SOT-669
- Manufacturer: Nexperia
